发明名称 | 包括玻璃中间层的三维集成电路及其制备方法 | ||
摘要 | 本文描述了包括玻璃中间层的三维集成电路(3D-IC),和用于制造具有玻璃中间层的三维集成电路(3D-IC)的方法。在一种实施方式中,3D-IC包括玻璃中间层,该玻璃中间层中具有在其中形成的通孔且没有用导体填充,允许在再分配层之间的精确的金属-到-金属互连(例如)。在另一种实施方式中,3D-IC包括玻璃中间层,该玻璃中间层具有通孔,且热膨胀系数(CTE)和硅的CTE(3.2ppm/℃)不同。 | ||
申请公布号 | CN104620378A | 申请公布日期 | 2015.05.13 |
申请号 | CN201380020108.0 | 申请日期 | 2013.03.05 |
申请人 | 康宁股份有限公司 | 发明人 | 陈易安;Y-J·陆;W·P·托马斯三世 |
分类号 | H01L25/065(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/065(2006.01)I |
代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 郭辉 |
主权项 | 一种三维集成电路,其包括:第一电路组件;一种或更多种第一再分配层,其中第一再分配层中之一具有从该再分配层延伸的多个第一导电柱;玻璃中间层,其包括体,该体包括基本上相互平行的第一表面和第二表面,且其中该体具有从所述第一表面穿透延伸到所述第二表面的多个通孔;一种或更多种第二再分配层,其中第二再分配层中之一具有从该再分配层延伸的多个第二导电柱;第二电路组件;所述一种或更多种第一再分配层设置在第一电路组件和玻璃中间层的第一表面之间;所述一种或更多种第二再分配层设置在第二电路组件和玻璃中间层的第二表面之间;和所述玻璃中间层设置在一层第一分配层和一层第二分配层之间,从而每一个第一导电柱和相应的每一个第二导电柱接触,其中各对第一和第二导电柱在位于玻璃中间层的通孔之一内相互接触。 | ||
地址 | 美国纽约州 |