发明名称 |
薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。根据本发明的示例性实施例的薄膜晶体管阵列面板包括:绝缘基板;栅极线,设置在绝缘基板上并且包括栅极焊盘部分;数据线,与栅极线交叉并绝缘,并且包括源电极和数据焊盘部分;漏电极,面对源电极;有机绝缘层,设置在数据线和漏电极上,并且包括第一接触孔;共电极,设置在有机绝缘层上,并且包括第二接触孔;钝化层,设置在共电极上,并且包括第三接触孔;以及像素电极,设置在钝化层上并且与漏电极接触,其中,第三接触孔被设置为与第一接触孔的一个表面相邻,以改善开口率并用于稳定的电极连接。 |
申请公布号 |
CN104614906A |
申请公布日期 |
2015.05.13 |
申请号 |
CN201410458060.8 |
申请日期 |
2014.09.10 |
申请人 |
三星显示有限公司 |
发明人 |
朴承铉;宋俊昊;宋溱镐;李宰学 |
分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;G02F1/1333(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I |
代理机构 |
北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 |
代理人 |
王占杰;龚振宇 |
主权项 |
一种薄膜晶体管阵列面板,其特征在于,所述薄膜晶体管阵列面板包括:绝缘基板;栅极线,设置在绝缘基板上并且包括栅极焊盘部分;数据线,与栅极线交叉并绝缘,并且包括源电极和数据焊盘部分;漏电极,面对源电极;有机绝缘层,设置在数据线和漏电极上,其中,第一接触孔限定为穿过有机绝缘层;共电极,设置在有机绝缘层上,其中,第二接触孔限定为穿过共电极;钝化层,设置在共电极上,其中,第三接触孔限定为穿过钝化层;以及像素电极,设置在钝化层上并且与漏电极接触,其中,第三接触孔被设置为与第一接触孔的一个表面相邻。 |
地址 |
韩国京畿道龙仁市 |