一种台湾含笑的无性繁殖方法

摘要

本发明涉及一种台湾含笑的无性繁殖方法，包括A台湾含笑实生苗制备；B台湾含笑接穗预处理，C嫁接方法，D，嫁接后管理；其中以鹅掌楸为砧木采用切接的方法嫁接台湾含笑，插穗经植物生长调节剂、1％DMSO依次浸泡后插入砧木，使接穗与砧木的形成层对齐后用无滴膜将接口自下而上严密缠绕包扎，本发明可以大量获得台湾含笑含根实生苗，增殖率为81-86倍，获得实生苗后，嫁接在鹅掌楸砧木上，成活率达到95％，经移栽大田两年后，树势强健，抗病，能够安全过冬，有效解决了台湾含笑市场资源的空缺，应用前景广阔。

主权项

一种台湾含笑的无性繁殖方法，其特征在于所述方法包括如下步骤：步骤A，台湾含笑实生苗的培育；步骤B，台湾含笑接穗预处理；步骤C，嫁接方法；以及步骤D，嫁接后管理；所述步骤A台湾含笑实生苗的培育具体为：(1)外植体选取与消毒：6月份，选取当年生顶梢作为外植体进行消毒；(2)改良WPM培养基的制备：用KNO₃200mg/L代替原WPM培养基中的K₂SO₄，另外添加活性炭的浓度为1000mg/L，其他组分均无变化；(3)不定芽的诱导：取步骤(1)中经消毒后的外植体，切割为0.8cm长的茎段，每茎段带一腋芽，接种于不定芽诱导培养基中进行不定芽的诱导，培养温度为20‑26℃，首先在黑暗中培养12小时，然后光照培养20‑25天，所述不定芽诱导培养基为步骤(2)制备的改良WPM培养基，添加的激素水平为：KT‑30 1mg/L+玉米素0.8mg/L+6‑BA0.1mg/L+GA₃0.5mg/L；(4)高压静电场HVEF处理：利用高压静电场仪器，对不定芽进行静电场处理，强度为10KV/cm，时间0.5小时；(5)继代增殖：将经高压静电场处理的不定芽接入继代增殖培养基，进行继代培养20‑30天得到无根试管苗，培养温度为20‑26℃，继代增殖培养基为步骤(2)制备的改良WPM培养基，并添加玉米素0.2mg/L+KT‑30 0.2mg/L+IBA0.1mg/L；(6)生根培养：将步骤(5)获得的台湾含笑无根试管苗接入生根培养基中进行生根培养20‑30天，培养温度为20‑26℃，生根培养基为步骤(2)制备的改良WPM培养基，并添加IBA3.0mg/L；步骤B台湾含笑接穗预处理具体为：将步骤A获得的台湾含笑实生苗枝条上切口平切、下切口斜切，长度为5cm左右，保留1～2个饱满芽，然后用植物生长调节剂浸泡枝条下部10min，取出枝条，再用1％DMSO浸泡枝条下部10min；所述植物生长调节剂的制备方法为：按照重量份取吲哚丁酸7份、胺鲜酯5份、赤霉素3份、KT‑30 1份，维生素B1 1份，抗坏血酸1份，混合均匀，得到混合物，以200mg混合物：1L水的稀释比例添加水，配制得到植物生长调节剂；步骤C嫁接方法为：嫁接时间选取在3月份，采用切接的方法，将预处理后的接穗插入砧木，使接穗与砧木的形成层对齐后用无滴膜将接口自下而上严密缠绕包扎；所述砧木为鹅掌楸。