| 发明名称 | 背面金属化工艺方法 | ||
| 摘要 | 本发明的背面金属化工艺方法，包括：提供半导体衬底，将所述半导体衬底置于蒸镀腔室中，对所述蒸镀腔室抽真空；打开所述蒸镀腔室内的卤素灯，所述蒸镀腔室内的温度升到第一预定温度；保持所述第一预定温度，在所述半导体衬底的背面沉积一第一金属层，所述第一金属层与所述半导体衬底背面接触的部分形成一合金层；关闭所述蒸镀腔室内的所述卤素灯，将蒸镀腔室内的温度降至第二预定温度。本发明的背面金属化工艺方法，可以在生长金属层的同时，在超高真空的条件下，形成合金层，避免金属层被氧化或者剥落。 | ||
| 申请公布号 | CN104616983A | 申请公布日期 | 2015.05.13 |
| 申请号 | CN201510052284.3 | 申请日期 | 2015.01.31 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 傅荣颢 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I;C23C14/28(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种背面金属化工艺方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，将所述半导体衬底置于蒸镀腔室中，对所述蒸镀腔室抽真空；打开所述蒸镀腔室内的卤素灯，所述蒸镀腔室内的温度升到第一预定温度；保持所述第一预定温度，在所述半导体衬底的背面沉积一第一金属层，所述第一金属层与所述半导体衬底的背面相接触的部分形成一合金层；关闭所述蒸镀腔室内的所述卤素灯，将所述蒸镀腔室内的温度降至第二预定温度。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||