无盲区、无光电串扰的硅象限光电探测器制作方法

摘要

本发明公开了一种无盲区、无光电串扰的硅象限光电探测器制作方法。其特点在于：在硅象限光电探测器各象限光敏元之间制作一个环极。该环极用与象限光电探测器衬底同型杂质，跟背面电极同时扩散构成n⁺n或p⁺p层高低结，其形状依象限光电探测器各象限光敏元数量和形状而定。环极通过金属引线与象限光电探测器公共电极直接连接。在象限光电探测器反偏置下，各象限光敏元pn结纵向耗尽层与横向侧壁耗尽层连成一体，形成“侧壁耗尽层势垒”，使每个象限的光敏元因光照而产生的光生载流子，在该偏置电场作用下，不能跨入其它光敏元的耗尽区。因环极高低结内不能输出光生载流子，但体积极小，可忽略，视为无盲区，从而实现无盲区无光电串扰的目的。

主权项

一种无盲区、无光电串扰的硅象限光电探测器的制作方法，其在硅象限光电探测器各象限光敏元之间的衬底表面上设置一环极，通过电场作用，在各光敏元周边构成侧壁耗尽层底部势垒，其特征在于：在硅象限光电探测器象限光敏元之间，用与芯片衬底同型的杂质，扩散形成高低结，并且是与衬底背面电极的高低结同时扩散形成；该环极是通过金属引线与衬底背面的各光敏面公共下电极直接相连，其形状是依据各象限探测器各象限光敏元的数量与形状而定；应用中，在象限光电探测器反偏置电压下，各象限光敏元的背面耗尽层与侧壁耗尽层连成一体，各象限光敏元内所产生的光生载流子在无盲区的情况下，均不能越过该侧壁耗尽层底部势垒，从而彻底消除了光电串扰，提高了响应度和最小探测光功率。