半導体装置

摘要

【課題】半導体装置におけるダイボンドの信頼性を向上することを目的にしている。【解決手段】 裏面側にメタライズ層が形成されている半導体素子と、半導体素子と間隔を隔てて平行に配置された金属製のリードフレームと、半導体素子とリードフレームの間に設けられ、メタライズ層に接合されている第１の接合層と、半導体素子とリードフレームの間に設けられ、第１の接合層とリードフレームを接合する第２の接合層とを備えている半導体装置。第１の接合層は、リードフレームに向かって部が膨らんでいる。