适合蚀刻高深宽比特征结构之蚀刻反应器

主权项

一种处理腔室，包括：一腔室主体，具有一内部容积；一喷洒头组件，耦接至该腔室主体的一顶壁，该喷洒头组件系配置以将来自至少二分离的位置之一气体混合物输送至该腔室主体内；一第一气体管线，外部地且直接地耦接至该腔室主体，且配置以将一气体输送通过该喷洒头组件并进入该腔室主体中；一第二气体管线，耦接至一混合歧管，该混合歧管外部地耦接至该腔室主体，该第二气体管线系配置以供应至少一特殊蒸气来源，其中该混合岐管系配置以混合多个气体以形成该气体混合物且配置以提供该气体混合物至该喷洒头组件；一基板支撑组件，设置在该腔室主体中；至少二RF(射频)功率源，耦接至该基板支撑组件；一偏压功率源，耦接至该基板支撑组件；以及一控制器，配置以控制在该处理腔室中的操作，该操作包括：在该混合岐管中混合一第一气体与来自该第二气体管线之该特殊蒸气来源，以形成该气体混合物；提供该气体混合物而使该气体混合物通过该喷洒头组件，并进入该腔室主体中；
直接地供应来自该第一气体管线的一第二气体至该喷洒头组件并进入该腔室主体中；施加来自该RF功率源的RF功率，以在该腔室主体中维持由该气体混合物所形成的一电浆；将来自该偏压功率源的偏压功率施加至该基板支撑组件，其中所施加之该偏压功率与该RF功率系经脉冲化(pulsed)；以及在该电浆存在下，对一图案化罩幕(mask)而选择性地蚀刻一矽层，以在该矽层中形成特征结构(feature)。