发明名称 膜形成組成物及びイオン注入方法
摘要 【課題】イオン注入方法及びイオン注入用膜形成組成物並びにレジスト下層膜形成組成物を提供すること。【解決手段】13族、14族、15族又は16族の元素を含む化合物及び有機溶剤を含む膜形成組成物を基板上に塗布しベークして膜を形成する工程、不純物イオンを前記膜の上方から前記膜を介して前記基板に注入すると共に、前記膜中の13族、14族、15族又は16族の元素を前記基板中に導入する工程を含む、イオン注入方法。前記膜形成組成物は、13族、14族、15族又は16族の元素を含む化合物及び有機溶剤を含むイオン注入用膜形成組成物である。また、少なくとも2つのほう酸エステル基を有する化合物を含むレジスト下層膜形成組成物である。【選択図】図1
申请公布号 JPWO2013118879(A1) 申请公布日期 2015.05.11
申请号 JP20130557602 申请日期 2013.02.08
申请人 日産化学工業株式会社 发明人 大橋 智也;岸岡 高広
分类号 H01L21/265;C08L101/00;G03F7/11;H01L21/027 主分类号 H01L21/265
代理机构 代理人
主权项
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