| 摘要 |
<p>シリコン系基板（１１）の表面に不純物元素を拡散して、不純物拡散層（１５）を形成する工程と、シリコン系基板の第１面側のうち少なくとも一部において、不純物拡散層を除去するためのエッチング工程と、を含み、エッチング工程は、第１面側において、供給位置からシリコン系基板の外縁部へ流動するエッチング流体（３３）を供給するエッチング流体供給工程と、エッチング流体供給工程におけるエッチング流体の供給に合わせて、シリコン系基板のうち第１面側とは反対の第２面側において、エッチング流体と同じ向きへエアー（３４）を供給するエアー供給工程と、を含む。</p> |
