一种LED芯片透明电极及其制造方法

摘要

本发明公开了一种LED芯片透明电极及其制造方法，该透明芯片电极由高透射率的超薄金属掺杂银膜构成，超薄金属掺杂银膜由金属Ag掺杂一定比例的具有高功函数的金属采用共溅射的方式形成，通过控制溅射流量的方法控制金属的掺杂比例，控制溅射的时间可控制超薄金属掺杂银膜的厚度，以此方法形成的超薄金属掺杂银膜为单层金属合金，结构简单，该超薄金属掺杂银膜能与P型半导体形成良好的欧姆接触且具有高的透射率，简化了LED芯片的结构，提高了LED芯片的出光效率。

主权项

一种LED芯片透明电极，为掺杂具有高功函数的金属的超薄银膜，掺杂的原子比为1‑10%。