发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要
申请公布号 TWI484598 申请公布日期 2015.05.11
申请号 TW098113076 申请日期 2009.04.20
申请人 瑞萨电子股份有限公司 发明人 千叶原宏幸;石井敦司;和泉直生;松本雅弘
分类号 H01L23/10;H01L21/3205;H01L21/31 主分类号 H01L23/10
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种半导体装置,其系包含:晶片区域;密封环区域,其在俯视下将前述晶片区域包围;及虚设区域,其在俯视下将前述密封环区域之外周包围;且前述虚设区域包含:半导体基板;第1叠层体,其设于前述半导体基板上,且包含具有第1机械性强度之第1层间绝缘膜;第2叠层体,其设于前述第1叠层体上,且包含具有较前述第1机械性强度大之机械性强度之第2层间绝缘膜;至少1个第1区域,其系具有在俯视下以彼此重叠之方式设于前述第1叠层体内之复数个第1金属层、及将前述复数个第1金属层彼此连接之导孔;及至少1个第2区域,其系具有在俯视下以彼此重叠之方式设于前述第2叠层体内之复数个第2金属层、及将前述复数个第2金属层彼此连接之导孔;其中前述第2区域在俯视下与前述第1区域之至少一部分重叠,而且未藉由导孔与前述第1区域连接,且在与前述第1区域之间夹着前述第2层间绝缘膜。
地址 日本