| 摘要 |
プラズマエッチング装置を用い、被処理基板の金属層をハードマスクを介してエッチングするプラズマエッチング方法であって、エッチングガスとして、Ｏ２ガスとＣＦ４ガスとＨＢｒガスの混合ガスからなる第１エッチングガスを用いる第１工程と、エッチングガスとして、Ｏ２ガスとＣＦ４ガスとの混合ガスからなる第２エッチングガスを用いる第２工程と、を連続して交互に複数回繰り返して実施するとともに、下部電極に、第１の周波数の第１高周波電力と、第１の周波数より低い第２の周波数の第２高周波電力とを印加し、かつ、第１高周波電力をパルス状に印加する。 |
