半导体发光元件及具有此半导体发光元件的发光装置

主权项

一种半导体发光元件，该半导体发光元件包括：一成长基板；至少一发光二极体，形成于该成长基板上，该发光二极体包括第一半导体区块，一主动区块形成于该第一半导体区块上方，以及第二半导体区块形成于该主动区块上方；以及至少一金属半导体场效电晶体，形成于该成长基板上，该金属半导体场效电晶体包括一基底区块、一通道半导体区块及一闸极电极、一源极半导体区块及一源极电极、一汲极半导体区块及一汲极电极，其中该闸极电极与该通道半导体区块形成萧基接触，且该源极电极及汲极电极分别与该源极半导体区块及该汲极半导体区块形成欧姆接触；其中该源极半导体区块及该汲极半导体区块系形成于该通道半导体区块上方，且该通道半导体区块系形成于该基底区块上方，其中该第一半导体区块、该第二半导体区块、该通道半导体区块、该源极半导体区块及该汲极半导体区块之材料系包括三族氮化物。