发明名称 光電変換装置
摘要 <p>光電変換装置の光電変換効率を向上させる。光電変換装置11は、電極層2と、電極層2上に配置された、I−III−VI族化合物および酸素元素を含む第1の半導体層3と、第1の半導体層3上に配置された、第1の半導体層3とpn接合を形成する第2の半導体層4とを備えており、第1の半導体層3における酸素元素の原子濃度は、第1の半導体層3の積層方向の部よりも電極層2側の表面部の方で低くなっている。</p>
申请公布号 JPWO2013111443(A1) 申请公布日期 2015.05.11
申请号 JP20130555141 申请日期 2012.11.28
申请人 发明人
分类号 H01L31/0749 主分类号 H01L31/0749
代理机构 代理人
主权项
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