| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种半导体装置的制造方法。一实施例包括一半导体晶片载板，其中为了增强静电吸盘(electrostatic chuck)与载板之间的库伦力(coulombic force)，将导电掺杂物注入于载板内，以补偿因较薄的半导体晶片而下降的库伦力。另一实施例中，利用在载板内形成导电层及通孔结构(via)以取代导电掺杂物。本发明可避免高电压施加于半导体晶片所潜在的任何负面效应，并具有更便宜的制造程序。 | ||
| 申请公布号 | CN101996858B | 申请公布日期 | 2015.05.06 |
| 申请号 | CN201010254687.3 | 申请日期 | 2010.08.13 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 吕咏铮;陈明发;陈承先;黄招胜 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 姜燕;陈晨 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，包括：提供一半导体晶片，其包括一基底及延伸进入一部分的该基底内的一或多个基底通孔电极；提供一载板，其包括多个导电通孔结构；将该半导体晶片贴附至该载板；将该载板放置于一静电吸盘上，该静电吸盘包括一电极；以及在该电极施加一第一电压。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||