| 发明名称 | 一种利用AAO模板制备纳米图形化衬底的方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于LED图形化衬底技术领域，提供一种利用AAO模板制备纳米图形化衬底的方法，其步骤包括：在单晶衬底上制备出有序的AAO模板，然后使用湿法刻蚀或干法刻蚀将AAO模板的孔道复制到单晶衬底上，最终获得纳米孔道图形化衬底。采用本发明提供的纳米图形化衬底的制备方法，能够在降低制造成本的同时提高GaN基LED光效。 | ||
| 申请公布号 | CN104593727A | 申请公布日期 | 2015.05.06 |
| 申请号 | CN201410816726.2 | 申请日期 | 2014.12.24 |
| 申请人 | 西安神光安瑞光电科技有限公司 | 发明人 | 韩沈丹;黄宏嘉 |
| 分类号 | C23C14/18(2006.01)I;C25D11/12(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I | 主分类号 | C23C14/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人 | 胡乐 |
| 主权项 | 一种利用AAO模板制备纳米图形化衬底的方法，其特征在于：在单晶衬底上制备出有序的AAO模板，然后使用湿法刻蚀或干法刻蚀将AAO模板的孔道复制到单晶衬底上，最终获得纳米孔道图形化衬底。 | ||
| 地址 | 710100 陕西省西安市航天基地东长安街888号 | ||