发明名称 |
固体摄像装置以及固体摄像装置的制造方法 |
摘要 |
本发明提供固体摄像装置以及固体摄像装置的制造方法。实施方式的固体摄像装置具备:光电转换元件、杂质层、低浓度区域和晶体管。光电转换元件设于半导体层。杂质层设于与排列有光电转换元件的半导体层相同的层,包含与光电转换元件的电荷蓄积区域的导电型相反的杂质。低浓度区域设于杂质层的内部,杂质的浓度比杂质层低。晶体管在杂质层设有有源区。 |
申请公布号 |
CN104600086A |
申请公布日期 |
2015.05.06 |
申请号 |
CN201410578338.5 |
申请日期 |
2014.10.24 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
樽木久征;田中长孝 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
徐冰冰;黄剑锋 |
主权项 |
一种固体摄像装置,具备:多个光电转换元件,设于半导体层;杂质层,设于与排列有上述光电转换元件的半导体层相同的层,并包含与上述光电转换元件的电荷蓄积区域的导电型相反的杂质;低浓度区域,设于上述杂质层的内部,上述杂质的浓度比上述杂质层低;和晶体管,在上述杂质层设有有源区。 |
地址 |
日本东京都 |