一种发光二极管芯片结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管芯片结构及其制备方法，其中所述发光二极管芯片结构包括：衬底；位于衬底上的外延层，其中，所述外延层包括第一区域层、量子阱有源层及第二区域层，所述发光二极管芯片结构还包括：沟槽，从第二区域层延伸到第一区域层或延伸进入第一区域层，第一电极，形成在所述沟槽中，与第一区域层接触，第二电极，形成在第二区域层上。由此，减小了发光二极管芯片刻蚀区域的面积，使得发光二极管芯片的有效发光面积增大，从而提高发光效率。

主权项

一种发光二极管芯片结构，包括衬底；位于衬底上的外延层，其中，所述外延层包括顺次堆叠的具有第一导电类型的第一区域层、量子阱有源层及与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第二区域层；其特征在于，所述发光二极管芯片结构还包括：沟槽，从所述第二区域层延伸到所述第一区域层或延伸进入所述第一区域层；第一电极，形成在所述沟槽中，与第一区域层接触，并且与第二区域层和量子阱有源层电绝缘；第二电极，形成在所述第二区域层上。