混合层三维存储器

摘要

本发明提供了一种混合层三维存储器。其中，一部分三维存储层采用层间分离的形式，即相邻的存储层之间有层间介质；而另一部分三维存储层采用层间交叉的形式，即相邻的存储层之间没有层间介质，并共享地址选择线。混合层三维存储器结合了层间分离三维存储器和层间交叉三维存储器各自的优点，它特别适合于具有较大存储层数目的三维存储器。

主权项

1.一种混和层三维存储器(0)，其特征在于含有：一含有晶体管的衬底；一位于该衬底上方的第一存储层(ML 100)；一位于第一存储层上方的第二存储层(ML 200)，该第二存储层和该第一存储层共享至少一地址选择线(30a)；一与该第一或第二存储层相邻的第三存储层(ML 300)，该第三存储层与该第一和第二存储层不共享任何地址选择线。