发明名称 |
双异质结双面太阳能电池 |
摘要 |
本实用新型公开了一种双异质结双面太阳能电池。其由上到下依次为正面电极(1),正面增透膜(2)、P型掺杂非晶硅层(3)、正面本征非晶硅层(4)、N型掺杂硅衬底(5)、背面本征非晶硅层(6)、N型掺杂非晶硅层(7)、背面增透膜(8)、背面电极(9)。其中P型掺杂非晶硅层(3)、正面非晶硅层(4)和N型掺杂硅衬底(5)构成正面的异质结;N型掺杂硅衬底(5)、背面本征非晶硅层(6)和N型掺杂非晶硅层(7)三者构成另一背面异质结。本实用新型通过层叠两个不同能带结构的异质结,提高了太阳能电池对光的吸收利用,减小界面缺陷态密度,提高对载流子收集,改善了太阳能电池的转换效率,可用于光伏发电。 |
申请公布号 |
CN204315606U |
申请公布日期 |
2015.05.06 |
申请号 |
CN201520041808.4 |
申请日期 |
2015.01.21 |
申请人 |
中电投西安太阳能电力有限公司 |
发明人 |
董鹏;郭辉;黄海栗;苗东铭;胡彦飞;张玉明 |
分类号 |
H01L31/0725(2012.01)I;H01L31/0747(2012.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/0224(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0725(2012.01)I |
代理机构 |
陕西电子工业专利中心 61205 |
代理人 |
王品华 |
主权项 |
一种双异质结双面太阳能电池,包括正面电极(1),正面增透膜(2)、P型掺杂非晶硅层(3)、正面本征非晶硅层(4)、N型掺杂硅衬底(5)和背面电极(9),其特征在于:在N型掺杂硅衬底(5)与背面电极(9)之间自上而下依次增设有背面本征非晶硅层(6)、N型掺杂非晶硅层(7)、背面增透膜(8),该N型掺杂硅衬底(5)、背面本征非晶硅层(6)和N型掺杂非晶硅层(7)三者构成另一背面异质结。 |
地址 |
710100 陕西省西安市航天基地东长安街589号 |