用于flash存储器的高可靠性数据读取方法

摘要

本发明提供一种用于flash存储器的高可靠性数据读取方法，包括一组ECC控制寄存器，此ECC控制寄存器包括：管理字节使能位、左扇区数据使能位、右扇区数据使能位，用于控制是否对所述用户数据区中另一个扇区进行纠错处理；在对nandflash进行读操作时：当在逻辑上读用户数据区中左扇区时，则使能ECC控制寄存器中左扇区数据使能位，如果左扇区位于第一用户数据区内，则配置ECC控制寄存器中管理字节长度控制位有效（长度为8），发送读命令将用户管理信息读入BCH模块解码查错，但不加载到控制器缓存中，将左扇区数据读到BCH模块解码查错，并加载到控制器缓存中进行纠错，再将右扇区读到BCH模块解码查错，但不加载到控制器缓存中。本发明提高了对nandflash存储设备的读写速度，又保证了加载信息准确性且硬件利用率。

主权项

一种用于flash存储器的高可靠性数据读取方法，所述nandflash存储器由若干物理块组成，物理块包含若干个物理页，物理页包括管理字节区、若干个由左、右两个扇区组成的用户数据区和若干个分别与所述用户数据区一一对应的具有纠错功能的错误校验区（ECC），每个错误校验区（ECC）用于校验并纠错其负责的用户数据区中错误代码，所述管理字节区用来建立逻辑页与物理页之间的对应关系或者建立逻辑块与物理块之间的对应关系；其特征在于：还包括一组ECC控制寄存器用于对管理字节区、用户数据区及错误校验区分别控制是否进行纠错，此ECC控制寄存器包括：管理字节使能位，用于控制是否对所述管理字节区进行纠错；左扇区数据使能位，用于控制是否对所述用户数据区中一个扇区进行纠错处理；右扇区数据使能位，用于控制是否对所述用户数据区中另一个扇区进行纠错处理；错误校验使能位，用于控制是否对所述错误校验区（ECC）进行纠错处理；管理字节长度控制位，用于配置管理字节的长度，从而控制对物理页中使能的区域进行纠错，而对物理页中关闭的区域不进行纠错；所述用户数据区包括一个第一用户数据区和至少一个第二用户数据区，所述错误校验区（ECC）包括一个第一错误校验区（ECC）和至少一个第二错误校验区（ECC），所述第一错误校验区（ECC）用于将其相应的第一用户数据区和管理字节区合在一起进行校验纠错编码；在对nandflash进行读操作时：当在逻辑上读用户数据区中左扇区时，则使能ECC控制寄存器中左扇区数据使能位，如果左扇区位于第一用户数据区内，则配置ECC控制寄存器中管理字节长度控制位有效（长度为8），发送读命令将用户管理信息读入BCH模块解码查错，但不加载到控制器缓存中，将左扇区数据读到BCH模块解码查错，并加载到控制器缓存中进行纠错，再将右扇区读到BCH模块解码查错，但不加载到控制器缓存中，否则，发送读命令将左扇区数据读到BCH模块解码查错，并加载到控制器缓存中进行纠错，再将右扇区读到BCH模块解码查错，但不加载到控制器的缓存中；当在逻辑上读用户数据区中右扇区时，则使能ECC控制寄存器中右扇区数据使能位，如果右扇区位于第一用户数据区内，则配置ECC控制寄存器中管理字节长度控制位有效（长度为8），发送读命令将用户管理信息和左扇区数据读入BCH模块解码查错，但不加载到控制器缓存中，将右扇区数据读到BCH模块解码查错，并加载到控制器缓存中进行纠错，否则，发送读命令将左扇区读到BCH模块解码查错，但不加载到控制器的缓存中，将扇区数据读到BCH模块解码查错，并加载到控制器缓存中进行纠错；当在逻辑上读一个由左、右两个扇区组成的用户数据区时，则使能ECC控制寄存器中左、右扇区数据使能位，如果用户数据区为第一用户数据区，则配置ECC控制寄存器中管理字节长度控制位有效（长度为8），发送读命令将用户管理信息读入BCH模块解码查错，但不加载到控制器缓存中，将用户数据区数据读到BCH模块解码查错，并加载到控制器缓存中进行纠错，否则，发送读命令将用户数据区数据读到BCH模块解码查错，并加载到控制器缓存中进行纠错。