| 发明名称 | 一种改善铟导热界面材料的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种改善铟导热界面材料的方法，旨在解决高密度、超大规模集成电路的散热问题，属于导热界面材料技术领域，所述改善铟导热界面材料的方法主要体现在熔炼过程中往纯铟中添加50～3000ppm的镓。通过该方法所获得的导热界面材料具有无毒无害、高导热性、高柔韧性、易于安装并具可拆性的优点，本发明所获得的导热界面材料表面洁净度达到90％以上，含氧量在25ppm以下。 | ||
| 申请公布号 | CN104593655A | 申请公布日期 | 2015.05.06 |
| 申请号 | CN201410857274.2 | 申请日期 | 2014.12.31 |
| 申请人 | 广州汉源新材料有限公司 | 发明人 | 蔡航伟;胡鸿;杜昆;蔡烈松;陈明汉 |
| 分类号 | C22C28/00(2006.01)I;C22C1/02(2006.01)I | 主分类号 | C22C28/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州番禺容大专利代理事务所(普通合伙) 44326 | 代理人 | 刘新年 |
| 主权项 | 一种改善铟导热界面材料的方法，其特征在于：所述的导热界面材料为纯铟，其制备过程中加入镓。 | ||
| 地址 | 510663 广东省广州市高新技术产业开发区科学城南云二路58号 | ||