具有短路保护区域的镶嵌栅极及其制造方法

摘要

本发明一般地涉及半导体器件，更具体地说，涉及具有短路保护区域（60）的镶嵌栅极（100；图1C）及其制造方法。本发明的第一方面提供一种形成具有短路保护区域（60）的镶嵌栅极（100）的方法，该方法包括：形成镶嵌栅极，该栅极具有：衬底（12）顶上的栅极电介质；栅极电介质顶上的栅极导体（40）；横向邻近栅极导体（30）的导电衬里；导电衬里和衬底（20）之间的隔离物；以及在栅极导体（60）顶上的第一电介质；移除导电衬里（30）的一部分；在导电衬里（30）的剩余部分顶上沉积第二电介质（60），以便第二电介质横向邻近第一电介质和栅极二者。

主权项

一种形成具有短路保护区域的镶嵌栅极的方法，所述方法包括：形成镶嵌栅极，所述栅极具有：栅极电介质，在衬底顶上；栅极导体，在所述栅极电介质顶上；导电衬里，横向邻近所述栅极导体；隔离物，在所述导电衬里和所述衬底之间；以及第一电介质，在所述栅极导体顶上；移除所述导电衬里的一部分；以及在所述导电衬里的剩余部分顶上沉积第二电介质，以便所述第二电介质横向邻近所述第一电介质和所述隔离物并位于所述第一电介质和所述隔离物之间。