发明名称 |
晶片分割方法 |
摘要 |
本发明的晶片分割方法的特征在于,包括:激光束照射步骤,将相对于晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在晶片内部,沿着该分割预定线将该激光束照射到晶片,在晶片内部形成沿着该分割预定线的改质层;粘接带贴附步骤,在实施该激光束照射步骤之前或之后,将具有基材和通过加热而软化的粘接层的粘接带贴附到晶片上;分割步骤,在实施该粘接带贴附步骤之后,通过使该粘接带扩张而在晶片上施加外力,沿着该分割预定线分割晶片,形成多个器件芯片;以及分割屑捕获步骤,对该粘接带进行加热而使该粘接带的该粘接层软化并使该粘接层侵入到在该分割步骤中形成的邻接的器件芯片之间,使通过分割生成的分割屑粘附在该粘接层上。 |
申请公布号 |
CN102773611B |
申请公布日期 |
2015.05.06 |
申请号 |
CN201210144588.9 |
申请日期 |
2012.05.10 |
申请人 |
株式会社迪思科 |
发明人 |
阿畠润 |
分类号 |
B23K26/38(2014.01)I;H01L21/304(2006.01)I |
主分类号 |
B23K26/38(2014.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
李辉;黄纶伟 |
主权项 |
一种晶片分割方法,对于在由形成于表面的交叉的多个分割预定线而划分的各区域分别形成有器件的晶片,沿着该分割预定线分割来形成多个器件芯片,该晶片分割方法的特征在于包括:激光束照射步骤,将相对于晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在晶片内部,沿着该分割预定线将该激光束照射到晶片,在晶片内部形成沿着该分割预定线的改质层;粘接带贴附步骤,在实施该激光束照射步骤之前或之后,将具有基材和通过加热而软化的粘接层的粘接带贴附到晶片上;分割步骤,在实施该粘接带贴附步骤之后,通过使该粘接带扩张而在晶片上施加外力,沿着该分割预定线分割晶片,形成多个器件芯片;以及分割屑捕获步骤,对该粘接带进行加热而使该粘接带的该粘接层软化并使该粘接层侵入到在该分割步骤中形成的邻接的器件芯片之间,使通过分割生成的分割屑粘附在该粘接层上。 |
地址 |
日本东京都 |