| 发明名称 | 氧化铟系烧结体及氧化铟系透明导电膜 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种氧化铟烧结体，含有铌作为添加物，其特征在于，铌的原子数相对于烧结体中全部金属元素的原子数的总和的比率为1～4％的范围，相对密度为98％以上，体电阻为0.9mΩ·cm以下。本发明提供虽然具有低电阻率，但是由于载流子浓度不过高因此在短波长和长波长区域具有高透射率特性的氧化铟系氧化物烧结体及氧化铟系透明导电膜。 | ||
| 申请公布号 | CN102666429B | 申请公布日期 | 2015.05.06 |
| 申请号 | CN201080048058.3 | 申请日期 | 2010.10.13 |
| 申请人 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 发明人 | 生泽正克;高见英生 |
| 分类号 | H01B5/14(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;H01B1/08(2006.01)I;C04B35/00(2006.01)I | 主分类号 | H01B5/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 王海川;穆德骏 |
| 主权项 | 一种氧化铟烧结体，单独含有铌作为添加物，并且烧结体中所含的全部金属元素为铟和铌，其特征在于，铌的原子数相对于烧结体中全部金属元素的原子数的总和的比率为1～4％的范围，相对密度为98％以上，体电阻为0.5mΩ·cm以下。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||