发明名称 4000nm带通红外滤光敏感元件
摘要 本发明公开了一种4000nm带通红外滤光敏感元件,包括以Si为原材料的基板,以Ge、SiO为第一镀膜层和以Ge、SiO为第二镀膜层,且所述基板设于第一镀膜层与第二镀膜层之间。本发明所得到的4000nm带通红外滤光敏感元件,其中心波长4000±40nm,其在医用红外气体检测分析过程中,可大大的提高信噪比,提高测试精准度,适合于大范围的推广和使用。该滤光敏感元件的峰值透过率Tp≥70%,带宽=120±20nm,400~5500 nm(除通带外),Tavg<0.1%。
申请公布号 CN104597540A 申请公布日期 2015.05.06
申请号 CN201410733432.3 申请日期 2014.12.07
申请人 杭州麦乐克电子科技有限公司 发明人 吕晶;胡伟琴;王继平
分类号 G02B5/20(2006.01)I 主分类号 G02B5/20(2006.01)I
代理机构 杭州斯可睿专利事务所有限公司 33241 代理人 周豪靖
主权项 一种4000nm带通红外滤光敏感元件,包括以Si为原材料的基板(2),以Ge、SiO为第一镀膜层(1)和以Ge、SiO为第二镀膜层(3),且所述基板(2)设于第一镀膜层(1)与第二镀膜层(3)之间,其特征是所述第一镀膜层(1)由内向外依次排列包含有162nm厚度的Ge层、220nm厚度的SiO层、88nm厚度的Ge层、312nm厚度的SiO层、70nm厚度的Ge层、198nm厚度的SiO层、270nm厚度的Ge层、313nm厚度的SiO层、114nm厚度的Ge层、330nm厚度的SiO层、133nm厚度的Ge层、140nm厚度的SiO层、93nm厚度的Ge层、397nm厚度的SiO层、176nm厚度的Ge层、272nm厚度的SiO层、144nm厚度的Ge层、552nm厚度的SiO层、201nm厚度的Ge层、272nm厚度的SiO层、123nm厚度的Ge层、419nm厚度的SiO层、281nm厚度的Ge层、233nm厚度的SiO层、59nm厚度的Ge层、395nm厚度的SiO层、456nm厚度的Ge层、594nm厚度的SiO层、434nm厚度的Ge层、376nm厚度的SiO层;所述的第二镀膜层(3)由内向外依次排列包含有243nm厚度的Ge层、562nm厚度的SiO层、243nm厚度的Ge层、2248nm厚度的SiO层、243nm厚度的Ge层、562nm厚度的SiO层、243nm厚度的Ge层、562nm厚度的SiO层、243nm厚度的Ge层、2248nm厚度的SiO层、223nm厚度的Ge层、150nm厚度的SiO层。
地址 311188 浙江省杭州市钱江经济开发区兴国路503-2-101