双面互联扇出工艺

摘要

本发明涉及一种双面互联扇出工艺，在晶圆的顶面开设多个盲孔；在盲孔内形成第一导电柱及再造的芯片；在晶圆的顶面上形成塑封层，塑封层暴露出第一导电柱及第二导电柱的顶面；在塑封层上形成第一再布线金属层；在第一再布线金属层上形成第一钝化层，第一钝化层形成第一开口；在第一开口处形成上凸点；减薄晶圆，直至露出第一导电柱的底面；在晶圆的底面形成第二钝化层，第二钝化层设置有暴露第一导电柱底面及芯片顶面的第二开口；在第二开口处形成背部接电结构。采用该工艺形成的芯片，可以进行堆叠封装。同时背部接电结构会在第二开口处形成金属层，可用于对芯片进行散热，降低热阻，特别是对于高功耗的芯片，其能更好的保证芯片的正常工作。

主权项

一种双面互联扇出工艺，其特征在于，包括以下步骤：在晶圆的顶面上开设多个盲孔；在所述盲孔内形成第一导电柱，并且以倒置的方式安放至少一个芯片，所述芯片的焊垫上形成有第二导电柱，所述第一导电柱的顶部及所述第二导电柱的顶部均高于所述晶圆的顶面；在所述晶圆的顶面上形成塑封层，所述塑封层暴露出所述第一导电柱及所述第二导电柱的顶面；在所述塑封层上形成与所述第一导电柱及所述第二导电柱相连接的第一再布线金属层；在所述第一再布线金属层上形成第一钝化层，所述第一钝化层形成有暴露所述第一再布线金属层的第一开口；在所述第一开口处形成与所述第一再布线金属层连接的上凸点；对所述晶圆的底部进行减薄，直至露出所述第一导电柱的底面；在减薄后的所述晶圆的底面形成第二钝化层，所述第二钝化层设置有暴露所述第一导电柱底面及所述芯片顶面的第二开口；在所述第二开口处形成背部接电结构。