发明名称 一种AC/DC全砖硬开关半桥PCB的布局结构
摘要 本实用新型公开了一种AC/DC全砖硬开关半桥PCB的布局结构,包括铝基板和控制板,该电源的输出整流分为二级管整流或同步整流,两者具有其相同结构:输入整流二极管D6、D7位于铝基板的左上,电感L2位于左下,功率MOS管Q8位于D6右侧,整流二极管D9位于PFC电感的右下,可控硅SCR1位于PFC电感L2的右上,电源半桥上功率MOS管Q1位于Q8右侧,电源半桥下功率MOS管Q2位于检测电阻右侧,电源半桥主变压器T1位于Q1和Q2的右侧,电源输出电流检测电阻R22位于D1右上侧,电源输出滤波电感L1位于铝基板的右下。本实用新型布局结构紧凑,空间利用率高,大电流功率回路小,高压脉动电压线路短。
申请公布号 CN204316347U 申请公布日期 2015.05.06
申请号 CN201420439489.8 申请日期 2014.08.06
申请人 深圳市核达中远通电源技术有限公司 发明人 黄国兵;刘取仁;王庆棉
分类号 H02M7/00(2006.01)I;H02M1/44(2007.01)I;H02M7/219(2006.01)I 主分类号 H02M7/00(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种AC/DC全砖硬开关半桥PCB的布局结构,包括铝基板和控制板,其特征在于:此AC/DC全砖模块电源输出整流可分为二极管整流或同步整流,铝基板上设有用于电源输入整流滤波的第一输入整流二极管D6,第二输入整流二极管D7,PFC电感L2,第一高压滤波电容C35,第二高压滤波电容C36,电源PFC的检测电阻R7,电源PFC的功率MOS管Q8,电源PFC的整流二极管D9,用于防浪涌电流的可控硅SCR1,电源半桥上功率MOS管Q1,电源半桥下功率MOS管Q2,电源半桥电容,电源半桥主变压器T1,第一输出整流二极管D1或输出同步整流MOS管Q3、Q6,第二输出整流二极管D2或输出同步整流MOS管Q4、Q5,电源输出电流检测电阻R22,电源输出滤波电感L1,第一输出整流二极管D1或输出同步整流MOS管Q3、Q6的吸收尖峰电压电路,第二输出整流二极管D2或输出同步整流MOS管Q4、Q5的吸收尖峰电压电路以及电源的输出滤波电容;所述第一输入整流二极管D6、第二输入整流二极管D7位于铝基板的左上部分,PFC电感L2位于铝基板的左下部分,第一高压滤波电容C35与第二高压滤波电容C36相邻并位于第一输入整流桥D6和第二输入整流桥D7中间靠右部分,电源PFC的检测电阻R7位于第二输入整流二极管D7右侧部分,电源PFC的功率MOS管Q8位于第一输入整流二极管D6右侧部分,电源PFC的整流二极管D9位于PFC电感L2的右下部分,用于防浪涌电流的可控硅SCR1位于PFC电感L2的右上部分,电源半桥上功率MOS管Q1位于电源PFC的功率MOS管Q8右侧部分,电源半桥下功率MOS管Q2位于电源PFC的检测电阻R7右侧部分,电源半桥电容位于电源PFC的整流二极管D9右侧部分,电源半桥主变压器T1位于电源半桥上功率MOS管Q1和电源半桥下功率MOS管Q2的右侧部分,电源输出整流二极管D1或输出同步整流MOS管Q3、Q6位于电源半桥主变压器的右下部分, 电源的输出整流二极管D2或输出同步整流MOS管Q4、Q5位于电源半桥主变压器的右上部分,电源输出电流检测电阻R22位于电源的输出整流二极管D1或输出同步整流MOS管Q3、Q6右上部分,电源输出滤波电感L1位于铝基板的右下部分,电源的输出整流二极管D2的吸收尖峰电压电路位于输出整流二极管D2右侧部分或电源输出同步整流MOS管Q4、Q5的吸收尖峰电压电路位于同步整流MOS管Q4、Q5的上面部分,电源的输出整流二极管D1的吸收尖峰电压电路位于输出整流二极管D1右下侧部分或电源输出同步整流MOS管Q3、Q6的吸收尖峰电压电路位于整流MOS管Q3、Q6的下面部分,电源的输出滤波电容位于输出整流二极管D1或输出同步整流MOS管Q3、Q6的吸收尖峰电路的右侧部分;AC输入经第一输入整流桥D6和第二输入整流桥D7进行整流成正的脉冲电压,再通过PFC电感L1,电源PFC的功率MOS管Q8,电源PFC的整流二极管D9变换为400V的直流电压,400V的直流电压再通过半桥电源半桥上功率MOS管Q1,电源半桥下功率MOS管Q2,电源半桥主变压器T1,第一输出整流二极管D1或输出同步整流MOS管Q3、Q6,第二输出整流二极管D2或输出同步整流MOS管Q4、Q5转换为所需要的输出电压。
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