| 发明名称 | 提高隔离氧化物CMP均匀性的方法及其专用设备 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种提高隔离氧化物CMP均匀性的方法，包括：在衬底上形成隔离氧化物层；在隔离氧化物层上形成牺牲层，牺牲层的顶部高度差小于隔离氧化物层的顶部高度差；采用相同的CMP工艺，依次对牺牲层以及隔离氧化物层进行CMP处理，直至暴露衬底。依照本发明的提高隔离氧化物CMP均匀性的方法及其专用设备，在提高生产效率过程中提高了全局平坦化，增大了CMP工艺的窗口，避免对前层膜厚表面形貌的选择，提高生产效率的同时减少凹陷缺陷的发生。 | ||
| 申请公布号 | CN102969239B | 申请公布日期 | 2015.05.06 |
| 申请号 | CN201110257878.X | 申请日期 | 2011.09.01 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 王桂磊;杨涛 |
| 分类号 | H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3105(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种提高隔离氧化物CMP均匀性的方法，包括：在衬底上形成隔离氧化物层；在隔离氧化物层上形成牺牲层，牺牲层的顶部高度差小于隔离氧化物层的顶部高度差；采用相同的CMP工艺，依次对牺牲层以及隔离氧化物层进行CMP处理，直至暴露衬底，最终的表面完全平整。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||