氮基化合物半导体的生长方法和设备

摘要

本发明公开了一种气体分配装置和用于生长20%到100%高Al含量的氮基化合物半导体的方法。所述的气体分配装置和方法使金属有机物和氨气反应物非均匀混合，在外延衬底上形成一系列交替的富金属有机物和富氨气的区域。这一非均匀混合的气相环境使得寄生反应只发生在金属有机源和氨气交汇的区域。在外延过程中，所述的衬底以几毫秒至几十毫秒的时间间隔在所述的富金属有机物和富氨气的区域连续移动。

主权项

一种通过MOCVD来制备高Al组分III‑V族氮化物半导体的方法，包括：将外延衬底加热至500‑1350c通过所述的气体分布装置，将反应物竖直注入所述的反应腔体内，该气体分布装置和衬底的距离小于5cm。形成很多交替的、富Al金属有机源区域和富氨气区域的不均匀气态环境。通过周期性的移动，将衬底交替暴露于所述的富Al金属有机源区域和所述的富氨气区域进行外延生长。生长结束后，停止反应前驱物的流入。