| 发明名称 | 一种用于SiC功率器件的碳保护膜的制备方法及应用 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于SiC功率器件的碳保护膜的制备方法，包括将碳纳米管置于酸液中加热，将得到的具有亲水性的碳纳米管置于水中进行超声分散，然后在SiC晶圆表面旋涂成膜，最后通过烘焙使溶剂完全挥发。本发明还提供了所述碳保护膜在SiC功率器件中的应用，检测说明得到的碳保护膜的纯度高、高温稳定性好，可以有效地保护高温激活退火过程中SiC晶圆的表面形貌。 | ||
| 申请公布号 | CN104599946A | 申请公布日期 | 2015.05.06 |
| 申请号 | CN201410815606.0 | 申请日期 | 2014.12.24 |
| 申请人 | 株洲南车时代电气股份有限公司 | 发明人 | 史晶晶;李诚瞻;刘国友;赵艳黎;周正东;高云斌;吴佳;杨勇雄;刘可安 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人 | 吴大建;陈伟 |
| 主权项 | 一种用于SiC功率器件的碳保护膜的制备方法，包括：将碳纳米管置于酸液中加热，将得到的具有亲水性的碳纳米管置于水中进行超声分散，然后在SiC晶圆表面旋涂成膜，最后通过烘焙使溶剂完全挥发。 | ||
| 地址 | 412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号 | ||