| 发明名称 | 一种用位图叠加制备二次微曲面结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明是一种用位图叠加制备二次微曲面结构的方法，包括步骤如下：步骤S1：对待加工样品的表面做预处理；步骤S2：将待加工样品粘到聚焦电子/离子束双束系统的样品托上；步骤S3：将粘好待加工样品的样品托固定到聚焦电子/离子束双束系统的样品架上，对样品腔室抽真空；在聚焦电子/离子束双束系统的电子束下将待加工样品表面需要加工二次微曲面结构的位置调整到聚焦电子束与离子束共轴的位置；步骤S4：在合适的聚焦离子束系统成像放大倍数下，选择离子束加速电压与刻蚀束流大小，在待加工样品上需要进行二次微曲面结构加工的位置，按照设定刻蚀图形文件刻蚀加工二次微曲面结构。 | ||
| 申请公布号 | CN104599940A | 申请公布日期 | 2015.05.06 |
| 申请号 | CN201410840455.4 | 申请日期 | 2014.12.30 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 顾长志;姜倩晴;唐成春;李无瑕;金爱子;李俊杰 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 宋焰琴 |
| 主权项 | <b>一种用位</b><b>图</b><b>叠加制备二次微曲面结构的方法</b>，包括步骤如下：步骤S1：对待加工样品的表面做预处理；步骤S2：将待加工样品粘到聚焦电子/离子束双束系统的样品托上；步骤S3：将粘好待加工样品的样品托固定到聚焦电子/离子束双束系统的样品架上，对样品腔室抽真空；在聚焦电子/离子束双束系统的电子束下将待加工样品表面需要加工二次微曲面结构的位置调整到聚焦电子束与离子束共轴的位置；步骤S4：在合适的聚焦离子束系统成像放大倍数下，选择离子束加速电压与刻蚀束流大小，在待加工样品上需要进行二次微曲面结构加工的位置，按照设定刻蚀<b>图</b>形文件刻蚀加工二次微曲面结构。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村南三街8号 | ||