半导体装置

摘要

目的在于提供一种具有新型结构的半导体装置。包括：第一配线；第二配线；第三配线；第四配线；第一晶体管，包括第一栅电极、第一源电极和第一漏电极；第二晶体管，包括第二栅电极、第二源电极和第二漏电极。第一晶体管布置在包括半导体材料的衬底上方并且第二晶体管包括氧化物半导体层。

主权项

一种用于驱动半导体装置的方法，包括：第一线；第二线；存储单元；第一电路，电连接到所述第一线；以及第二电路，电连接到所述第二线，所述方法包括写入步骤和读取步骤，所述写入步骤包括如下步骤：选择多个写入电位中的一个；以及将所述多个写入电位中的所述一个输出到所述第一线，以及所述读取步骤包括如下步骤：将所述第二线的电位与多个参考电位进行比较，其中所述存储单元包括：第一晶体管，包括第一栅极、第一源极和第一漏极；第二晶体管，包括第二栅极、第二源极和第二漏极；以及第三晶体管，包括第三栅极、第三源极和第三漏极，其中所述第二晶体管包括氧化物半导体层，其中所述第一栅极以及所述第二源极和所述第二漏极中的一个彼此电连接，其中所述第一漏极和所述第三源极彼此电连接，其中所述第二线和所述第三漏极彼此电连接，以及其中所述第一线以及所述第二源极和所述第二漏极中的另一个彼此电连接。