掩模型只读存储器及制造方法

摘要

本发明公开了一种掩模型只读存储器，NMOS存储单元所存储的信息包括信息1和信息0两种；信息0所对应的NMOS存储单元都包括：源区、漏区、轻掺杂漏区和栅极结构，在读取时沟道导通；信息1所对应的NMOS存储单元在信息0所对应的NMOS存储单元的基础上增加了漏端P型重掺杂区，漏端P型重掺杂区的掺杂浓度和漏区相当，在横向位置上漏端P型重掺杂区位于漏端的轻掺杂漏区和漏区之间；在读取时漏端P型重掺杂区对轻掺杂漏区和漏区进行夹断并使沟道不导通。本发明还公开了一种掩模型只读存储器的制造方法。本发明能降低器件的面积、提高器件的集成度、降低工艺成本，能提高器件的击穿电压并易于集成。

主权项

一种掩模型只读存储器，其特征在于：掩模型只读存储器形成于硅衬底上，在所述硅衬底上形成浅沟槽场氧隔离结构，由所述浅沟槽场氧隔离出多个有源区；在所述有源区中形成有P阱；所述掩模型只读存储器的NMOS存储单元形成于所述有源区中，且每一个所述有源区中形成有多个所述NMOS存储单元；所述NMOS存储单元所存储的信息包括信息1和信息0两种；信息0所对应的所述NMOS存储单元都包括：源区、漏区、轻掺杂漏区和栅极结构，所述栅极结构包括依次形成于所述有源区表面的栅介质层、多晶硅栅和栅极硬掩膜层，在所述栅极结构的侧面形成有侧墙；所述轻掺杂漏区和所述栅极结构自对准，所述源区和所述漏区分别和所述栅极结构的侧墙自对准，被所述多晶硅栅所覆盖的所述有源区表面用于形成沟道；在所述源区接地、所述多晶硅栅和所述漏区都接高电位时所述源区和所述漏区通过所述沟道导通；信息1所对应的所述NMOS存储单元在信息0所对应的所述NMOS存储单元的基础上增加了漏端P型重掺杂区，所述漏端P型重掺杂区为一掺杂浓度和所述漏区为同一数量级的离子注入区，在横向位置上所述漏端P型重掺杂区位于漏端的所述轻掺杂漏区和所述漏区之间；在所述源区接地、所述多晶硅栅和所述漏区都接高电位时所述漏端P型重掺杂区对漏端的所述轻掺杂漏区和所述漏区进行夹断，使所述源区和所述漏区之间的沟道不导通。