用于非接触式量测Ｐ－Ｎ接面之顺向电压、饱和电流密度、理想因子及电流－电压曲线之方法及装置;METHOD AND APPARATUS FOR NON-CONTACT MEASUREMENT OF FORWARD VOLTAGE, SATURATION CURRENT DENSITY, IDEALITY FACTOR AND I-V CURVES IN P-N JUNCTIONS

摘要

非接触式量测一p-n接面之一或多个电回应特性包含：用一第一强度之光照明该p-n接面之一表面，该第一强度之光具有足以建立该p-n接面之一接面光电压(JPV)之一稳态条件之一调变或脉冲式特性；量测来自该照明区域内之该p-n接面之一第一JPV；用一额外强度之光照明该p-n接面之该表面；量测来自该照明区域内之该p-n接面之该部分之一额外光电压；判定该第一强度下该p-n接面之一光电流密度。该非接触式量测进一步包含用该p-n接面之该经量测第一光电压、该经量测额外光电压及/或该经判定光电流密度判定顺向电压、饱和电流密度、理想因子或一或多个I-V曲线。