发明名称 透明导电性膜之制造方法
摘要 本发明提供一种可以更高之速度将经低电阻化之透明导电层成膜之透明导电性膜之制造方法。本发明系包含于基材膜上利用溅镀法自包含铟-锡复合氧化物之靶形成透明导电层的步骤之透明导电性膜之制造方法,上述溅镀法系对溅镀成膜装置中之每1个溅镀室所具备之2个上述靶分别连接DC电源而进行之DC双靶溅镀法。
申请公布号 TW201516171 申请公布日期 2015.05.01
申请号 TW103133640 申请日期 2014.09.26
申请人 日东电工股份有限公司 NITTO DENKO CORPORATION 发明人 梨木智刚 NASHIKI, TOMOTAKE;加藤久登 KATO, HISATO;别府浩史 BEPPU, HIROSHI;尾原大辅 KAJIHARA, DAISUKE;高见佳史 TAKAMI, YOSHIHITO
分类号 C23C14/34(2006.01);G06F3/041(2006.01) 主分类号 C23C14/34(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本 JP