发明名称 场发射阴极
摘要
申请公布号 TWI483279 申请公布日期 2015.05.01
申请号 TW100111874 申请日期 2011.04.06
申请人 光学实验室公司 发明人 胡魁鸿
分类号 H01J1/304;H01J31/12 主分类号 H01J1/304
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种场发射阴极,其包含:至少部分导电基底结构;及空间上分布于该基底结构处之复数个导电微米大小区段,其中该复数个微米大小区段之至少一部分具有多边形或圆形柱体之形状、至少3:1之纵横比、在5微米至500微米之间的直径及至高10毫米之长度;该复数个微米大小区段之至少一部分各自具备复数个导电奈米结构,该奈米结构为奈米线,其具有大于1,000nm之长度及大于20:1之纵横比;及该奈米结构系经提供于该微米大小区段之外尖端上。
地址 瑞典
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