发明名称 垂直腔面发光雷射元件、垂直腔面发光雷射阵列、光学扫描装置、及影像形成装置
摘要
申请公布号 TWI483497 申请公布日期 2015.05.01
申请号 TW099103215 申请日期 2010.02.03
申请人 理光股份有限公司 发明人 花冈克成
分类号 H01S5/183 主分类号 H01S5/183
代理机构 代理人 洪尧顺 台北市内湖区行爱路176号3楼
主权项 一种垂直腔面发光雷射元件,包括:一基板;一叠层体,由一上反射镜和一下反射镜夹层一半导体主动层所形成,并位于该基板的一表面上;一下电极,连接至该基板相对于该表面的另一表面;一上电极,连接至该上反射镜的一上表面,该上反射镜和该下反射镜系分别透过交替叠层具有不同折射率的复数个半导体薄膜而制造,并且当一电流供应至该上电极和该下电极之间时,该垂直腔面发光雷射元件在垂直于该基板的该表面的一方向中发射雷射光;一选择性氧化层,在该上反射镜中,具有由一氧化区和一非氧化区所制成的一电流阻隔结构;以及一可检测部分,系形成在一台面结构的一侧表面上,其由包括该选择性氧化层和该主动层的该上反射镜所成形,藉以能够在该叠层体的一深度方向中从该叠层体的一顶部检测该选择性氧化层的一位置;其中该可检测部分系为藉由改变该台面结构之一侧表面的一锥角而成形的一阶梯状;其中该可检测部分系从该叠层体的该顶部形成在一对应于该选择性氧化层的一深度位置之深度位置处,其中一绝缘薄膜系形成在该台面结构的该侧表面上,以及其中该上电极系形成在该绝缘薄膜上,以及该上电极的一厚度系大于该台面结构的该下部的一高度。
地址 日本