含有经取代之交联性化合物之光阻下层膜形成组成物;RESIST UNDERLAYER FILM FORMING COMPOSITION CONTAINING SUBSTITUTED CROSSLINKABLE COMPOUND

摘要

本发明系提供昇华物之发生少，涂布于具有孔图型之基板时，埋入性良好，且具有高的乾蚀刻耐性、抖动(wiggling)耐性、耐热性等之微影步骤用的阻剂下层膜、及使用彼等之半导体装置之制造方法。;本发明之阻剂下层膜形成组成物，其系含有树脂及下述式(1)或式(2)表示之交联性化合物，下述式(1)或式(2)：(式中，Q 1 表示单键或m1价之有机基，R 1 及R 4 各自表示碳原子数2至10之烷基、或具有碳原子数1至10之烷氧基之碳原子数2至10之烷基，R 2 及R 5 各自表示氢原子或甲基，R 3 及R 6 各自表示碳原子数1至10之烷基、或碳原子数6至40之芳基)。