| 发明名称 |
シリコン構造体の製造及びプロファイル制御を伴うシリコンディープエッチング |
| 摘要 |
A method of etching features into a silicon layer with a steady-state gas flow is provided. An etch gas comprising an oxygen containing gas and a fluorine containing gas is provided. A plasma is provided from the etch gas. Then, the flow of the etch gas is stopped. |
| 申请公布号 |
JP5710267(B2) |
申请公布日期 |
2015.04.30 |
| 申请号 |
JP20100539663 |
申请日期 |
2008.12.12 |
| 申请人 |
ラム リサーチ コーポレーションＬＡＭ ＲＥＳＥＡＲＣＨ ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ |
发明人 |
ケビ・ロバート;リン・フランク;ウィニクゼック・ヤロスロウ;チェン・ワン−リン;マクダネル・エリン;ツェン・リリー;ラッシグ・スティーブン;ボガート・ジェフ;ルス・カメリア |
| 分类号 |
H01L21/3065 |
主分类号 |
H01L21/3065 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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