| 摘要 |
<p>Die vorliegende Erfindung soll veranlassen, dass in einer SiC-MOSFET Leistungsvorrichtung, die ein SiC-Substrat verwendet, eine hohe Kanalbeweglichkeit und eine hohe Schwellenspannung koexistieren. Der SiC-MOSFET, der mit einem geschichteten Isolierfilm mit Haftstelleneigenschaften für elektrische Ladung auf einem Gate-Isolierfilm versehen ist, hat in einer Kanallängenrichtung des SiC MOSFET eine unregelmäßige Schwellenspannung und hat insbesondere im Vergleich zu einem Bereich mit anderen Schwellenspannungen in der Kanallängenrichtung einen kürzeren Bereich mit einer maximalen Schwellenspannung.</p> |
