| 摘要 |
Es wird ein Feldeffektbauelement mit einem Halbleiterkörper bereitgestellt, der sich in einem Randbereich (120) von einer Rückseite (102) bis zu einer Oberseite (101) erstreckt, und der eine Halbleitermesa (20) aufweist, die sich in einer vertikalen Richtung, die senkrecht zu der Rückseite (102) und/oder der Oberseite (101) ist, bis zu einer in einer Höhe (hM) über der Oberseite (101) angeordneten Halbleitermesaoberseite (103) erstreckt, wobei der Halbleiterkörper (40) in einem vertikalen Querschnitt weiter eine Driftregion (1), die sich bis zur Oberseite (101) erstreckt und die teilweise in der Halbleitermesa (20) angeordnet ist; und eine zumindest teilweise in der Halbleitermesa (20) angeordnete Bodyregion (2) aufweist, die einen pn-Übergang (14) mit der Driftregion (1) bildet, der sich zwischen zwei Seitenwänden (21) der Halbleitermesa (20) erstreckt, wobei ein vertikaler Abstand (d) des pn-Übergangs (14) von der Halbleitermesaoberseite (103) in einer horizontalen Richtung variiert und einen größten Wert (d1) in einem von den zwei Seitenwänden (21) beabstandeten Zentralbereich (2c) annimmt, und wobei der größte Wert (d1) zumindest 70% der Höhe (hM) beträgt. |
