发明名称 Detektion des Leitungszustandes eines Feldeffektransistors
摘要 <p>Eine Schaltungsanordnung, die aufweist: einen Feldeffekttransistor (T1), der dazu ausgebildet ist, einen Stromfluss eines Laststroms sowohl in eine Vorwärtsrichtung als auch in eine Rückwärtsrichtung zu ermöglichen, wobei der Feldeffekttransistor (T1) einen Laststrompfad und eine Gate-Elektrode (G) aufweist; eine Gate-Steuereinheit (10), die mit der Gate-Elektrode (G) verbunden und dazu ausgebildet ist, den Feldeffekttransistor (T1) durch Laden bzw. Entladen der Gate-Elektrode (G) nach Maßgabe eines Gate-Steuersignals (S1) zu aktivieren bzw. zu deaktivieren; eine Gate-Treibereinheit (102), die dazu ausgebildet ist, durch Detektieren eines Gatestroms (iGATE), der durch eine Änderung des Spannungsabfalls über den Laststrompfad aufgrund eines Wechsels des Feldeffekttransistors (T1) in den rückwärtsleitenden Zustand verursacht wird, zu detektieren, ob der Feldeffekttransistor (T1) Strom in Vorwärts- oder Rückwärtsrichtung leitet, wobei die Gate-Steuereinheit (10) weiter dazu ausgebildet ist, den Feldeffekttransistor (T1) zu deaktivieren oder dessen Aktivierung zu verhindern, wenn die Gate-Treibereinheit (10) detektiert, dass der Feldeffekttransistor (T1) sich in seinem rückwärtsleitenden Zustand befindet.</p>
申请公布号 DE102011086129(B4) 申请公布日期 2015.04.30
申请号 DE20111086129 申请日期 2011.11.10
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 DOMES, DANIEL
分类号 H03K17/567;H01L29/739 主分类号 H03K17/567
代理机构 代理人
主权项
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