多層金属支持体

摘要

この発明は、構成された金属支持体に整合するかまたはほぼ整合する熱膨脹係数を有する薄層から、電子装置を形成する方法を提供する。いくつかの実施形態では、この方法は、劈開面を形成するためにドナー本体の上面にイオン投与量を注入するステップと、次に、ドナー本体から薄層を剥離するステップとを含む。薄層を剥離した後、薄層の熱膨脹係数の値の１０％以内である値を有する熱膨脹係数を有するフレキシブル金属支持体が、薄層上に構成される。いくつかの実施形態では、金属支持体および薄層の熱膨脹係数は、５００〜１０５０℃の温度で、互いの１０％以内または５％以内である。