| 发明名称 | 石墨烯的生长方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种石墨烯的生长方法，至少包括以下步骤：S1：提供一绝缘衬底，将所述绝缘衬底放置于生长腔室中；S2：将所述绝缘衬底加热到预设温度，并在所述生长腔室中引入含有催化元素的气体；S3：在所述生长腔室中通入碳源，在所述绝缘衬底上生长出石墨烯薄膜。本发明通过引入气态催化元素催化方式，在绝缘衬底上快速生长高质量石墨烯，避免了石墨烯的转移过程，能够提高石墨烯的生产产量，而且大大降低了石墨烯的生长成本，有利于批量生产；本发明生长的石墨烯可应用于新型石墨烯电子器件、石墨烯透明导电膜、透明导电涂层等领域。 | ||
| 申请公布号 | CN104562195A | 申请公布日期 | 2015.04.29 |
| 申请号 | CN201310496579.0 | 申请日期 | 2013.10.21 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 王浩敏;唐述杰;卢光远;吴天如;姜达;丁古巧;张学富;谢红;谢晓明;江绵恒 |
| 分类号 | C30B29/02(2006.01)I;C30B25/00(2006.01)I;C30B23/00(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 李仪萍 |
| 主权项 | 一种石墨烯的生长方法，其特征在于，至少包括以下步骤：S1：提供一绝缘衬底，将所述绝缘衬底放置于生长腔室中；S2：将所述绝缘衬底加热到预设温度，并在所述生长腔室中引入含有催化元素的气体；S3：在所述生长腔室中通入碳源，在所述绝缘衬底上生长出石墨烯薄膜。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号 | ||