发明名称 测试结构及其形成方法、测试方法
摘要 一种测试结构及其形成方法、测试方法,其中,所述测试结构,包括:位于衬底表面的介质层、介质层表面的第一牺牲层、第一牺牲层表面的曲翘层,曲翘层与第一牺牲层的材料不同,且曲翘层与第一牺牲层接触的表面具有应力;位于曲翘层第一端的固定结构,固定结构包括第一插塞,第一插塞贯穿曲翘层和第一牺牲层并位于介质层表面;包围固定结构的第一开口,第一开口顶部的图形为环形,第一开口暴露出固定结构的侧壁表面和第一牺牲层表面;位于曲翘层第二端的第二插塞,第二插塞贯穿曲翘层和第一牺牲层并位于介质层表面,第二端与第一端相对;固定结构或第二插塞的材料与第一牺牲层不同。采用所述测试结构进行检测的过程简单、且准确度高。
申请公布号 CN104555895A 申请公布日期 2015.04.29
申请号 CN201310504880.1 申请日期 2013.10.23
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 郑超;骆凯玲
分类号 B81C1/00(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I;G01D5/12(2006.01)I;G01B7/28(2006.01)I 主分类号 B81C1/00(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 骆苏华
主权项 一种测试结构,其特征在于,包括:衬底,所述衬底表面具有介质层,所述介质层表面具有第一牺牲层;位于所述第一牺牲层的部分表面的曲翘层,所述曲翘层与第一牺牲层的材料不同,且所述曲翘层与第一牺牲层接触的表面具有应力;位于所述曲翘层内的固定结构,所述固定结构贯穿所述曲翘层的第一端,所述固定结构包括第一插塞,所述第一插塞贯穿所述曲翘层和第一牺牲层并位于介质层表面,所述固定结构的材料与第一牺牲层不同;包围所述固定结构的第一开口,所述第一开口顶部的图形为环形,所述第一开口暴露出固定结构的侧壁表面和第一牺牲层表面,所述第一开口内具有第二牺牲层;位于所述曲翘层第二端的第二插塞,所述第二插塞贯穿所述曲翘层和第一牺牲层并位于介质层表面,所述第二端与第一端相对,且所述第二插塞的材料与第一牺牲层不同。
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