| 摘要 |
<p>일 실시형태의 성막 장치에서는, 처리 용기가, 플라즈마 생성실과 이 플라즈마 생성실 아래쪽의 처리실을 포함하는 공간을 구획하고 있다. 제1 가스 공급계가 플라즈마 생성실에 희가스를 공급한다. 유전체창이 플라즈마 생성실을 밀봉하도록 설치되어 있다. 안테나가 유전체창을 통해 플라즈마 생성실에 마이크로파를 공급한다. 제2 가스 공급계는 처리실에 전구체 가스를 공급한다. 차폐부는, 플라즈마 생성실과 처리실 사이에 형성되어 있고, 플라즈마 생성실과 처리실을 연통시키는 복수의 개구를 가지며, 자외선에 대한 차폐성을 갖고 있다. 이 성막 장치에서는, 플라즈마 생성실의 압력이 처리실 압력의 4배 이상으로 설정고, 또한 처리실로부터 플라즈마 생성실로의 전구체 가스의 확산도가 0.01 이하로 설정되어 있다.</p> |
