| 发明名称 | 半导体装置的制备方法及衬底处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体装置的制备方法及衬底处理装置。在形成含有规定元素、碳和氮的膜时，提高膜中的组成的控制性。本发明的半导体装置的制备方法具有通过进行规定次数的循环从而在衬底上形成含有规定元素、碳和氮的膜的工序，所述循环含有以下工序：向衬底供给含有规定元素和卤元素的第1处理气体的工序，向衬底供给由碳、氮和氢3种元素构成的第2处理气体的工序，和向衬底供给含有碳的第3处理气体的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN104576329A | 申请公布日期 | 2015.04.29 |
| 申请号 | CN201410397419.5 | 申请日期 | 2014.08.13 |
| 申请人 | 株式会社日立国际电气 | 发明人 | 桥本良知;广濑义朗;松冈树 |
| 分类号 | H01L21/22(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 杨宏军;王大方 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制备方法，具有通过进行规定次数的循环从而在衬底上形成含有规定元素、碳和氮的膜的工序，所述循环含有以下工序：向所述衬底供给含有所述规定元素和卤元素的第1处理气体的工序，向所述衬底供给由碳、氮和氢3种元素构成的第2处理气体的工序，和向所述衬底供给含有碳的第3处理气体的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||