| 发明名称 |
静电放电保护电路 |
| 摘要 |
静电放电保护电路。本发明提出了用低压PMOS器件实现ESD保护电路的技术方案，其中所述ESD保护电路，包括一个或多个PMOS器件，所述PMOS器件的工作电压小于或等于5伏特，且其栅极和源级相连；在包括多个PMOS器件所述的情况下，所述多个PMOS相互串联；其中所述PMOS器件与待保护电路中所有器件均由BCD工艺制作。因此，上述方案既解决了利用高压NMOS器件实现的ESD保护电路性能较差的问题，又降低了高压器件工艺制造过程中的难度。 |
| 申请公布号 |
CN104576634A |
申请公布日期 |
2015.04.29 |
| 申请号 |
CN201310504449.7 |
申请日期 |
2013.10.23 |
| 申请人 |
西安造新电子信息科技有限公司 |
发明人 |
不公告发明人 |
| 分类号 |
H01L27/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
一种静电放电保护电路，其特征在于，包括一个或多个PMOS器件，所述PMOS器件的工作电压小于或等于5伏特，且其栅极和源级相连。在包括多个PMOS器件所述的情况下，所述多个PMOS相互串联。 |
| 地址 |
710075 陕西省西安市高新区高新路86号领先时代广场第2幢3单元21层2105号房 |
