发明名称 |
高矫顽力钕铁硼磁体的制备方法 |
摘要 |
本发明公开一种高矫顽力钕铁硼磁体的制备方法,包括以下步骤:1)制备平均粒径2.2~3.5μm钕铁硼基粉末;2)制备得到PrNdGaCuBFe合金;3)将制备的PrNdGaCuB合金吸氢处理3~5小时,然后粉碎制得平均粒径为1~2.5μm的PrNdGaCuB合金粉末;4)将钕铁硼基粉末和PrNdGaCuB合金粉末混合5)取向并压制成型,得到压坯;6)将压坯真空烧结,最后进行二级热处理;最终获得高矫顽力钕铁硼磁体;本发明不但有效降低稀土的含量,而且能优化晶界相的结构和特性,综合的提高磁体的各方面性能。 |
申请公布号 |
CN104576026A |
申请公布日期 |
2015.04.29 |
申请号 |
CN201410836568.7 |
申请日期 |
2014.12.29 |
申请人 |
宁波金坦磁业有限公司 |
发明人 |
韩培松 |
分类号 |
H01F41/02(2006.01)I;H01F1/057(2006.01)I;H01F1/08(2006.01)I;B22F9/04(2006.01)I;B22F3/16(2006.01)I |
主分类号 |
H01F41/02(2006.01)I |
代理机构 |
宁波市鄞州甬致专利代理事务所(普通合伙) 33228 |
代理人 |
代忠炯 |
主权项 |
一种高矫顽力钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:1)用氢爆法将经速凝薄片工艺制备的钕铁硼基速凝薄片破碎,然后通过气流磨粉碎制得平均粒径2.2~3.5μm钕铁硼基粉末;2)按照如下质量百分比配料:PrNd 50~70%;Ga 10~30%;Cu 10~30%;BFe 5~10%;将配好的原料采用真空熔炼速凝工艺制备得到PrNdGaCuBFe合金;3)将制备的PrNdGaCuB合金置于氢碎炉的反应釜内吸氢处理3~5小时,然后采用气流磨粉碎制得平均粒径为1~2.5μm的PrNdGaCuB合金粉末;4)将钕铁硼基粉末和PrNdGaCuB合金粉末混合,其中混合粉末中PrNdGaCuB合金粉末的质量百分含量为0.1~10%;5)将步骤4)经过均匀混合后的混合粉末在1.8T~3T 的磁场中取向并压制成型,得到压坯;6)将压坯置入真空烧结炉内,然后升高温度在1040~1090℃烧结2~4 小时,最后进行二级热处理,其中一级热处理温度850~950℃,时间1~3 小时;二级热处理温度440~490℃,时间1~3 小时;最终获得高矫顽力钕铁硼磁体。 |
地址 |
315800 浙江省宁波市北仑区大碶茅洋山路19号 |